描述
锗晶圆先进技术：苏州科跃材料科技有限公司的专业承诺
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度锗（Ge）晶圆，具有优异的载流子迁移率、直接带隙特性以及出色的红外透过性能。这些晶圆广泛应用于半导体、光子学以及红外（IR）光学领域，是高性能晶体管、太阳能电池和热成像系统的理想选择。
锗晶圆与III-V族材料之间晶格失配较小，有利于实现高质量的外延生长，适用于先进的光电器件。其高折射率与优异的红外透过率，使其成为红外光学和传感技术中的首选材料。此外，锗晶圆也广泛应用于异质结双极型晶体管（HBT）以及兼容CMOS工艺的半导体器件中。
苏州科跃材料科技有限公司可根据客户需求，定制不同尺寸、掺杂类型和技术参数的锗晶圆，以满足科研与工业领域的多样化应用，确保材料品质与器件性能的卓越表现。
锗晶圆规格参数
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尺寸：10×3，10×5，10×10，15×15，20×15，20×20，直径1″、2″、4″、6″
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厚度：0.33mm，0.43mm，0.5mm，1.0mm
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表面处理：单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP）
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晶向：<100>，<110>，<111>
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晶向偏差：±0.5°
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表面粗糙度 Ra：≤5Å（5µm × 5µm）
锗晶圆物理性能
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材料：锗（Germanium）
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生长方式：区熔法（CZ）
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晶体结构：M3
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晶格常数（Å）：a = 5.65754
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熔点：937.4℃
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密度：5.323 g/cm³
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掺杂类型：无掺杂、锑（Sb）掺杂、铟/镓（In/Ga）掺杂
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导电类型：本征（/）、N型、P型
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电阻率：>35 Ω·cm、0.05 Ω·cm、0.05~0.1 Ω·cm
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热膨胀系数：<4 × 10³/cm²
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