锗晶圆

锗晶圆先进技术：苏州科跃材料科技有限公司的专业承诺

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度锗（Ge）晶圆，具有优异的载流子迁移率、直接带隙特性以及出色的红外透过性能。这些晶圆广泛应用于半导体、光子学以及红外（IR）光学领域，是高性能晶体管、太阳能电池和热成像系统的理想选择。

锗晶圆与III-V族材料之间晶格失配较小，有利于实现高质量的外延生长，适用于先进的光电器件。其高折射率与优异的红外透过率，使其成为红外光学和传感技术中的首选材料。此外，锗晶圆也广泛应用于异质结双极型晶体管（HBT）以及兼容CMOS工艺的半导体器件中。

苏州科跃材料科技有限公司可根据客户需求，定制不同尺寸、掺杂类型和技术参数的锗晶圆，以满足科研与工业领域的多样化应用，确保材料品质与器件性能的卓越表现。

锗晶圆规格参数

• 尺寸：10×3，10×5，10×10，15×15，20×15，20×20，直径1″、2″、4″、6″

• 厚度：0.33mm，0.43mm，0.5mm，1.0mm

• 表面处理：单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP）

• 晶向：<100>，<110>，<111>

• 晶向偏差：±0.5°

• 表面粗糙度 Ra：≤5Å（5µm × 5µm）

锗晶圆物理性能

• 材料：锗（Germanium）

• 生长方式：区熔法（CZ）

• 晶体结构：M3

• 晶格常数（Å）：a = 5.65754

• 熔点：937.4℃

• 密度：5.323 g/cm³

• 掺杂类型：无掺杂、锑（Sb）掺杂、铟/镓（In/Ga）掺杂

• 导电类型：本征（/）、N型、P型

• 电阻率：>35 Ω·cm、0.05 Ω·cm、0.05~0.1 Ω·cm

• 热膨胀系数：<4 × 10³/cm²