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锑化镓（GaSb）是III-V族半导体材料中的关键成员，广泛应用于中波至长波红外探测器和焦平面阵列，具备高灵敏度、可靠性强、寿命长等优势。GaSb晶圆广泛用于红外激光器、探测器、传感器以及热光伏电池等高端领域。
| 项目 | 参数说明 |
|---|---|
| 材料 | GaSb（锑化镓） |
| 生长方法 | LEC、VGF、VBG |
| 晶格常数（Å） | a = 6.094 |
| 晶体结构 | M3 |
| 熔点 | 712°C |
| 密度（g/cm³） | 5.53 g/cm³ |
| 掺杂类型 | 无掺杂、碲（Te）掺杂、锌（Zn）掺杂 |
| 导电类型 | P型、P型、N型（按掺杂对应） |
| 载流子浓度（cm⁻³） | (1–2)×10¹⁷、(5–100)×10¹⁷、(1–20)×10¹⁸ |
| 迁移率（cm²/V·s） | 600–700、200–500、2000–350（与掺杂相关） |
| 缺陷密度（EPD） | <2000/cm²、<2000/cm²、≤2000/≤500/cm² |
| 项目 | 参数范围 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 10×10 mm、10×5 mm、2″、3″（可定制） |
| 厚度 | 500 µm、600 µm、800 µm（公差 ±25 µm） |
| 表面处理 | 单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP） |
| 晶向 | <100>、<111> |
| 晶向偏差 | ±0.5° |
| 主定位边长度 | 16±2 mm、22±2 mm、32.5±2 mm |
| 次定位边长度 | 8±1 mm、11±1 mm、18±1 mm |
| 总厚度变化（TTV） | <10 µm、<20 µm |
| 弯曲度（Bow） | <10 µm、<20 µm |
| 翘曲度（Warp） | <15 µm、<20 µm |
所有GaSb晶圆均在Class 1000洁净室内进行包装，采用Class 100洁净袋或专用晶圆盒密封包装，以确保材料洁净度并防止污染。
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