金属间化合物 (BN-TiB₂) 电子束坩埚

基本信息

项目 参数说明
产品名称 BN-TiB₂ 电子束蒸发坩埚
材料组成 氮化硼 (BN) + 二硼化钛 (TiB₂) 复合陶瓷
成型方式 热压烧结 / 等静压成型
纯度等级 BN ≥ 99.5%,TiB₂ ≥ 99%
工作温度 ≥ 1800 °C(真空) / ≥ 1600 °C(惰性气氛)
外观颜色 深灰色 / 黑灰色复合陶瓷
适用设备 各类电子束蒸发镀膜机(如 PVD E-beam 系统)

产品简介

BN-TiB₂ 电子束坩埚 是由高纯氮化硼 (BN) 和二硼化钛 (TiB₂) 复合制备而成的高性能陶瓷坩埚,结合了 BN 的优异热稳定性和 TiB₂ 的电导率与强度。该坩埚特别适用于高真空条件下的电子束蒸发沉积工艺,能有效抑制材料溅射和污染,广泛应用于光学薄膜、半导体器件、太阳能电池、硬质涂层和其他精密镀膜工艺中。


BN-TiB₂ 坩埚的主要优势

  • 优异的抗热震性能:即使在高达 1800°C 的快速升降温环境中也能保持结构稳定

  • 高导电性:TiB₂ 成分赋予坩埚良好的电导率,便于电子束束斑均匀扩展,改善熔池形态

  • 抗熔蚀能力强:能承载高活性金属或化合物的蒸发(如铝、锆、钛、钽、氧化物等)

  • 化学惰性:BN 作为主要基体材料,具有极强的化学稳定性,不与绝大多数金属或气体反应

  • 寿命长,重复使用性高:陶瓷结构致密,耐蒸发辐照侵蚀,适合批量生产


典型规格(可定制)

外径 (mm) 高度 (mm) 壁厚 (mm) 适用 E-beam 电源 (kW) 型号参考
Ø50 30 4–5 3–5 BN-TiB2-50
Ø76 40 5–6 5–10 BN-TiB2-76
Ø100 50 6–8 10–15 BN-TiB2-100

※ 可根据客户图纸或镀膜腔体尺寸定制其他规格,如分区坩埚、多槽坩埚、内嵌冷却片等结构。


应用领域

  • ⚙️ 电子束蒸发沉积(E-beam evaporation)
    用于蒸发金属、氧化物、氟化物等材料进行真空镀膜

  • 🧪 半导体器件制造
    用于制造氧化物介电层、电极材料、功能薄膜

  • 🔬 光学镀膜 / 激光器件
    高折射率/低折射率材料交替沉积的精密应用

  • ☀️ 太阳能与光伏薄膜
    蒸发 Mo、Al、ZnO 等功能层材料,提升成膜均匀性与能效

  • 🛡 硬质涂层制备
    如 TiN、Al₂O₃ 等高温耐磨涂层材料的蒸发制备


包装与交付

  • 每件坩埚经超声波清洗,干燥真空密封

  • 使用定制泡沫托盘 + 双层硬纸箱,确保运输过程无破损

  • 可附带材质分析报告(XRD/EDS)及尺寸检验报告

  • 标准品现货供应,定制品交期通常 7–12 工作日


为什么选择苏州科跃材料的 BN-TiB₂ 坩埚?

  • ✔ 自有工厂,支持从粉体配比到烧结成型的全流程质量控制

  • ✔ 拥有 5 年以上出口经验,产品远销欧美与东南亚

  • ✔ 熟悉电子束蒸发工艺要求,配套技术指导

  • ✔ 支持与石墨/金属冷坩埚结构匹配设计