描述
磷化铟晶圆（Indium Phosphide Wafer, InP）
磷化铟（InP）是一种重要的III-V族化合物半导体材料，具有直接带隙、高电子迁移率和优良的光电特性。InP晶圆广泛用于高速光通信、激光器、光电探测器、太赫兹器件以及高速射频电子器件的制造，是高速光电集成电路（PIC）和5G通信模块的关键基底材料。
InP与多种III-V族材料晶格匹配良好，适合外延生长InGaAs、InAlAs等多层异质结构，用于高性能器件开发。
苏州科跃材料科技有限公司可提供各种规格、掺杂类型与晶向的磷化铟晶圆，支持科研与产业客户的定制需求，确保材料纯度高、晶体完整性强、缺陷密度低。
磷化铟晶圆物理性能
| 项目 | 参数说明 |
|---|---|
| 材料 | InP（磷化铟） |
| 生长方法 | LEC、VGF |
| 晶格常数（Å） | a = 5.8687 |
| 晶体结构 | 锌矿结构（Zinc Blende） |
| 熔点 | 1062°C |
| 密度（g/cm³） | 4.78 g/cm³ |
| 禁带宽度 | 1.34 eV（300 K，直接带隙） |
| 折射率（@1.3μm） | ~3.17 |
| 热导率 | ~0.68 W/cm·K |
| 导电类型 | N型、P型、本征 |
| 掺杂元素 | 硫（S）、硒（Se）、锌（Zn）、铁（Fe）、未掺杂 |
| 迁移率 | N型：3000–4500 cm²/V·s；P型：150–300 cm²/V·s |
磷化铟晶圆技术规格
| 项目 | 参数范围 |
|---|---|
| 晶圆尺寸 | 10×10 mm、2″、3″、4″（支持定制） |
| 厚度 | 350 µm、500 µm、600 µm（公差 ±25 µm） |
| 表面处理 | 单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP） |
| 晶向 | <100>、<111> |
| 晶向偏差 | ±0.5° |
| 主定位边长度 | 22±2 mm、32.5±2 mm（按尺寸不同） |
| 缺陷密度（EPD） | ≤3×10⁴ cm⁻²（可选更低） |
| 总厚度变化（TTV） | <10 µm、<20 µm |
| 翘曲度（Warp） | <15 µm、<20 µm |
包装方式
所有InP晶圆均在Class 1000洁净室中操作，并使用Class 100洁净袋或专用晶圆盒包装，确保表面洁净、无颗粒污染，满足精密器件制程要求。
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