砷化铟晶圆

高性能砷化铟晶圆：苏州科跃材料科技有限公司供应

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度砷化铟（InAs）晶圆，具有窄带隙、极高的电子迁移率以及良好的红外响应特性，是红外探测器、高速电子器件和量子器件领域的理想材料。

砷化铟晶圆因其优异的电学和光学性能，广泛应用于红外成像系统、热电探测器、场效应晶体管（HEMT）以及太赫兹和量子电子研究等高科技前沿领域。其与其他III-V族材料（如InP、GaSb）晶格匹配性好，适用于异质结构生长和外延制备。

苏州科跃材料科技有限公司支持各种尺寸、晶向、掺杂和表面处理方式的InAs晶圆定制，服务科研及产业用户，确保材料质量稳定、性能卓越。

砷化铟晶圆规格参数

• 尺寸：10×10 mm、15×15 mm、20×20 mm、25×25 mm、直径1″、2″、3″（可定制）

• 厚度：300–650 μm（根据尺寸定制）

• 晶向：<100>、<110>、<111>

• 表面处理：单面抛光（SSP）、双面抛光（DSP）

• 掺杂类型：无掺杂（Intrinsic）、硫（S）、硒（Se）、锡（Sn）掺杂（N型），锌（Zn）掺杂（P型）

• 导电类型：N型、P型

• 电阻率范围：0.001–10 Ω·cm（可选）

砷化铟晶圆物理性质

• 化学式：InAs

• 晶体结构：锌矿结构（Zinc Blende）

• 晶格常数：a = 6.0583 Å

• 禁带宽度：0.354 eV（300 K）

• 电子迁移率：~33,000 cm²/V·s（300 K）

• 熔点：942 °C

• 密度：5.67 g/cm³

• 折射率：3.51 @ 10 μm

• 红外透过波段：1–12 μm