描述
热氧化硅晶圆（Thermal Oxide Silicon Wafer）
热氧化硅晶圆是在高温条件下，通过干氧或湿氧对硅晶圆进行热处理而形成的二氧化硅（SiO₂）绝缘层，是集成电路制造、微电子加工、MEMS器件和光电子元件中的关键基础材料。该氧化层具备优异的电绝缘性、热稳定性和界面质量，广泛用于栅介质、场区隔离、光掩膜层以及薄膜沉积工艺中的底层结构。
苏州科跃材料科技有限公司可提供各类厚度、导电类型和晶向的热氧化硅晶圆，支持干法氧化和湿法氧化两种工艺，满足科研与产业多样化需求。
热氧化硅晶圆技术规格
| 项目 | 参数说明 |
|---|---|
| 基底材质 | 单晶硅（Si） |
| 晶圆尺寸 | 2″、3″、4″、6″、8″、12″（支持定制） |
| 厚度 | 275–775 µm（视尺寸而定） |
| 晶向 | <100>、<111>、<110> |
| 导电类型 | N型、P型、本征 |
| 掺杂类型 | 磷（P）、硼（B）、锑（Sb）、砷（As）、无掺杂 |
| 表面处理 | 单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP） |
| 氧化层厚度（SiO₂） | 50 Å – 10 µm（可选） |
| 氧化方式 | 干氧化（Dry）或湿氧化（Wet） |
| 氧化层均匀性 | <±5%（可选更高等级） |
| TTV（总厚度变化） | <10 µm、<20 µm |
| 表面粗糙度（Ra） | ≤5 Å（5 µm × 5 µm区域内） |
热氧化方式对比简述
| 工艺方式 | 氧化速率 | 介电强度 | 应用场景 |
|---|---|---|---|
| 干氧化 | 慢，控制精准 | 更高 | 栅氧层、界面质量要求高场合 |
| 湿氧化 | 快，成本较低 | 稍低 | 隔离层、掩膜层、光刻辅助层等 |
包装方式
所有热氧化硅晶圆均在Class 1000洁净环境中处理，使用晶圆专用盒（FOUP/Cassette）或Class 100洁净袋封装，防静电、防颗粒污染，适合直接进入洁净工艺环境使用。
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