氮化铝陶瓷基板

氮化铝陶瓷基板(Aluminum Nitride Ceramic Substrate)

氮化铝(AlN)陶瓷基板以其极高的热导率优异的电气性能出色的机械强度优良的耐高温能力,在高性能电子领域中发挥着重要作用。相比传统的氧化铍(BeO)陶瓷,氮化铝不仅具备更高的安全性(无毒),还具有更好的电阻率、耐腐蚀性和低介电损耗,是理想的替代材料。

凭借其综合性能优势,氮化铝基板被广泛应用于高密度混合集成电路、微波功率器件、电力电子、光电组件及半导体制冷系统等领域。

氮化铝陶瓷基板的物理性能

性能参数 数值说明
材料组成 AlN
密度(g/cm³) 3.335
莫氏硬度 8
热导率(W/m·K) 180
热膨胀系数(×10⁻⁶/°C) 4.0
介电常数(1 MHz) 8.8
抗弯强度(N/mm²) 450

产品规格

  • 标准尺寸:100 × 100 × 1.0 mm

  • 尺寸定制:可根据客户需求加工特殊规格

  • 表面处理:单面抛光(SSP)或双面抛光(DSP)

  • 表面粗糙度(Ra):0.01 – 0.7 µm

应用领域

氮化铝陶瓷基板广泛应用于以下行业:

  • 汽车电子:适用于高要求电子模块的散热与封装

  • 半导体制冷系统:提升冷却效率,增强可靠性

  • LED照明:优化热管理性能,延长器件寿命

  • 功率电阻器:满足大功率工作条件下的热管理需求

氮化铝基板凭借其优异的导热性与结构稳定性,是满足苛刻工业应用的理想材料选择。