描述
氮化铝陶瓷基板（Aluminum Nitride Ceramic Substrate）
氮化铝（AlN）陶瓷基板以其极高的热导率、优异的电气性能、出色的机械强度和优良的耐高温能力，在高性能电子领域中发挥着重要作用。相比传统的氧化铍（BeO）陶瓷，氮化铝不仅具备更高的安全性（无毒），还具有更好的电阻率、耐腐蚀性和低介电损耗，是理想的替代材料。
凭借其综合性能优势，氮化铝基板被广泛应用于高密度混合集成电路、微波功率器件、电力电子、光电组件及半导体制冷系统等领域。
氮化铝陶瓷基板的物理性能
| 性能参数 | 数值说明 |
|---|---|
| 材料组成 | AlN |
| 密度（g/cm³） | 3.335 |
| 莫氏硬度 | 8 |
| 热导率（W/m·K） | 180 |
| 热膨胀系数（×10⁻⁶/°C） | 4.0 |
| 介电常数（1 MHz） | 8.8 |
| 抗弯强度（N/mm²） | 450 |
产品规格
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标准尺寸：100 × 100 × 1.0 mm
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尺寸定制：可根据客户需求加工特殊规格
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表面处理：单面抛光（SSP）或双面抛光（DSP）
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表面粗糙度（Ra）：0.01 – 0.7 µm
应用领域
氮化铝陶瓷基板广泛应用于以下行业：
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汽车电子：适用于高要求电子模块的散热与封装
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半导体制冷系统：提升冷却效率，增强可靠性
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LED照明：优化热管理性能，延长器件寿命
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功率电阻器：满足大功率工作条件下的热管理需求
氮化铝基板凭借其优异的导热性与结构稳定性，是满足苛刻工业应用的理想材料选择。
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