描述
产品描述
氮化硼电子束坩埚采用热压工艺制成,具有优异的耐高温性能、电绝缘性、化学稳定性和润滑性,特别适合用于电子束蒸发(E-beam evaporation)过程中对高纯金属、氧化物、氟化物等材料的精密蒸发镀膜。
与石墨坩埚相比,BN坩埚不会在高温下释放气体或与被蒸发材料发生反应,适用于对污染控制要求更高的应用场景。
应用领域
氮化硼电子束坩埚广泛应用于以下高端工艺中:
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光学镀膜:如蒸发TiO₂、MgF₂、Al₂O₃等,用于制造抗反射膜、滤光片、增透膜等
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半导体材料制备:如Ga、In、Ge等金属材料的高纯蒸发
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太阳能薄膜:如透明导电膜(ITO、AZO)蒸镀过程中用于隔离与蒸发
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磁性薄膜制造:蒸发NiFe、Co、Gd等用于磁存储器件
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功能陶瓷沉积:如氧化锌、氮化铝等陶瓷靶材蒸发沉积
产品优势
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✅ 化学惰性强:与几乎所有熔融金属和氧化物不发生反应
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✅ 绝缘性优越:防止电子束短路或能量偏移
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✅ 抗热震性好:多次高温加热/冷却不裂
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✅ 高纯无污染:避免对蒸发材料造成杂质污染
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✅ 易于机加工:可按需设计多孔、多台阶、插装式结构
可定制结构类型
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单孔型(常规材料蒸发)
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多孔型(多材料共蒸发)
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阶梯型/套装型(嵌入铜坩埚或水冷座)
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薄壁型/深腔型(适配不同功率电子束枪)
包装方式
每只氮化硼电子束坩埚均采用无尘泡棉袋封装,外部加设防震缓冲材料,并装入加固纸箱或木箱,以确保运输过程中的产品安全与清洁。




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