氮化硼电子束坩埚

产品描述

氮化硼电子束坩埚采用热压工艺制成，具有优异的耐高温性能、电绝缘性、化学稳定性和润滑性，特别适合用于电子束蒸发（E-beam evaporation）过程中对高纯金属、氧化物、氟化物等材料的精密蒸发镀膜。

与石墨坩埚相比，BN坩埚不会在高温下释放气体或与被蒸发材料发生反应，适用于对污染控制要求更高的应用场景。

应用领域

氮化硼电子束坩埚广泛应用于以下高端工艺中：

• 光学镀膜：如蒸发TiO₂、MgF₂、Al₂O₃等，用于制造抗反射膜、滤光片、增透膜等

• 半导体材料制备：如Ga、In、Ge等金属材料的高纯蒸发

• 太阳能薄膜：如透明导电膜（ITO、AZO）蒸镀过程中用于隔离与蒸发

• 磁性薄膜制造：蒸发NiFe、Co、Gd等用于磁存储器件

• 功能陶瓷沉积：如氧化锌、氮化铝等陶瓷靶材蒸发沉积

产品优势

• ✅ 化学惰性强：与几乎所有熔融金属和氧化物不发生反应

• ✅ 绝缘性优越：防止电子束短路或能量偏移

• ✅ 抗热震性好：多次高温加热/冷却不裂

• ✅ 高纯无污染：避免对蒸发材料造成杂质污染

• ✅ 易于机加工：可按需设计多孔、多台阶、插装式结构

可定制结构类型

• 单孔型（常规材料蒸发）

• 多孔型（多材料共蒸发）

• 阶梯型/套装型（嵌入铜坩埚或水冷座）

• 薄壁型/深腔型（适配不同功率电子束枪）

包装方式

每只氮化硼电子束坩埚均采用无尘泡棉袋封装，外部加设防震缓冲材料，并装入加固纸箱或木箱，以确保运输过程中的产品安全与清洁。